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成立時(shí)間：2025-05-09所在地區(qū)：湖北 武漢公司地址：東湖開(kāi)發(fā)區(qū)武漢大學(xué)科技園武大園路7號(hào)武大航域D8棟主營(yíng)產(chǎn)品： igbt模塊
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成立時(shí)間：2024-02-04所在地區(qū)：湖南 婁底公司地址：群樂(lè)街23號(hào)眾一電子產(chǎn)業(yè)園內(nèi)主營(yíng)產(chǎn)品： 導(dǎo)熱材料 導(dǎo)熱相變材料 導(dǎo)熱硅膠 igbt散熱
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成立時(shí)間：2020-01-01所在地區(qū)：湖北 武漢公司地址：財(cái)富一路8號(hào)武漢新瑞科電氣技術(shù)有限公司實(shí)驗(yàn)樓402主營(yíng)產(chǎn)品： 建準(zhǔn)散熱風(fēng)扇 萊姆傳感器 IGBT模塊 電動(dòng)汽車電驅(qū)
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成立時(shí)間：2024-03-18所在地區(qū)：上海 奉賢主營(yíng)產(chǎn)品： igbt 碳化硅
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成立時(shí)間：2021-04-25所在地區(qū)：福建 泉州公司地址：鳳城鎮(zhèn)民主路536號(hào)金龍現(xiàn)代廣場(chǎng)A幢2206室主營(yíng)產(chǎn)品： 伺服電子變壓器 可控硅 二極管模塊 IGBT模塊
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成立時(shí)間：2013-12-05所在地區(qū)：上海 嘉定公司地址：福海路1101主營(yíng)產(chǎn)品： 可控硅 igbt 熔斷器 二極管
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成立時(shí)間：2025-05-09所在地區(qū)：廣東 深圳主營(yíng)產(chǎn)品： 驅(qū)動(dòng)ic igbt單管
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成立時(shí)間：2024-03-18所在地區(qū)：廣東 深圳公司地址：龍華區(qū)龍勝路融創(chuàng)智匯大廈C座13樓1306主營(yíng)產(chǎn)品： ic集成電路 mos管 單片機(jī) igbt
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成立時(shí)間：2025-05-09所在地區(qū)：湖北 武漢主營(yíng)產(chǎn)品： igbt模塊 風(fēng)扇
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成立時(shí)間：2022-07-12所在地區(qū)：江蘇 蘇州主營(yíng)產(chǎn)品： 熔斷器 igbt
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成立時(shí)間：2025-04-25所在地區(qū)：廣東 深圳主營(yíng)產(chǎn)品： igbt mos ic 碳化硅
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成立時(shí)間：2019-10-14所在地區(qū)：江蘇 蘇州公司地址：昆山市開(kāi)發(fā)區(qū)朝陽(yáng)東路建偉新世界A座809室主營(yíng)產(chǎn)品： 可控硅 熔斷器 igbt 二極管
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成立時(shí)間：2024-05-09所在地區(qū)：廣東 深圳公司地址：華強(qiáng)北現(xiàn)代之窗A座9A1主營(yíng)產(chǎn)品： 代理韓國(guó)htc 金升陽(yáng) adi 微波射頻
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成立時(shí)間：2019-10-25所在地區(qū)：上海公司地址：自由貿(mào)易試驗(yàn)區(qū)芳春路400號(hào)1幢3層主營(yíng)產(chǎn)品： IGBT模塊 可控硅 整流橋 二極管
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成立時(shí)間：2025-04-16所在地區(qū)：湖北 武漢主營(yíng)產(chǎn)品： lem傳感器 sunon igbt模塊
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成立時(shí)間：2014-06-10所在地區(qū)：北京 海淀公司地址：北京市海淀區(qū)永泰東路8號(hào)興緣寫(xiě)字樓主營(yíng)產(chǎn)品： 瑞士lem傳感器 韓國(guó)ls產(chǎn)電 芬蘭vacon變頻器 富士igbt
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成立時(shí)間：2021-03-24所在地區(qū)：陜西 西安主營(yíng)產(chǎn)品： igbt動(dòng)靜態(tài)測(cè)試系統(tǒng) 浪涌電流測(cè)試系統(tǒng)
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成立時(shí)間：2024-08-13所在地區(qū)：廣東 深圳公司地址：萬(wàn)科富春東方大廈主營(yíng)產(chǎn)品： 英飛凌igbt kt4ks4 h管k管
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成立時(shí)間：2021-03-24所在地區(qū)：廣東 深圳主營(yíng)產(chǎn)品： epcos電容器 igbt工業(yè)模塊
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成立時(shí)間：2024-12-19所在地區(qū)：江蘇 蘇州主營(yíng)產(chǎn)品： igbt 可控硅
