成立時間：2019-11-08

所在地區(qū)：廣東 深圳

主營產(chǎn)品： IGBT功率模塊 IPM功率模塊 PIM功率模塊 可控硅模塊

成立時間：2019-08-12

所在地區(qū)：江蘇 蘇州

公司地址：昆山市

主營產(chǎn)品： 可控硅 二機管 igbt 熔斷器

成立時間：2016-03-02

所在地區(qū)：天津 濱海新區(qū)

公司地址：天津自貿(mào)試驗區(qū)環(huán)河北路空港商務(wù)園東區(qū)8號樓A322房間

主營產(chǎn)品： 富士igbt模塊 韓國ls產(chǎn)電 瑞士lem傳感器 美國bussmann熔斷器

成立時間：2024-04-07

所在地區(qū)：上海 松江

主營產(chǎn)品： 電源模塊 igbt模塊

成立時間：2025-05-09

所在地區(qū)：上海 松江

公司地址：上海市松江區(qū)榮樂路89號

主營產(chǎn)品： igbt模塊 二極管 可控硅 整流橋

成立時間：2024-03-05

所在地區(qū)：廣東 深圳

公司地址：福田區(qū)車公廟泰然九路盛唐大廈西座1201

主營產(chǎn)品： ipm模塊 igbt模塊 mos管 通嘉ld7575

成立時間：2010-06-08

所在地區(qū)：湖北 武漢

公司地址：武漢東湖開發(fā)區(qū)武漢大學(xué)科技園3S地球空間信息產(chǎn)業(yè)基地三區(qū)D8座1－3層D8號

主營產(chǎn)品： igbt模塊

成立時間：2021-03-24

所在地區(qū)：湖北 武漢

主營產(chǎn)品： igbt模塊 igbt單管

成立時間：2025-05-09

所在地區(qū)：廣東 深圳

公司地址：民治騰龍路龍光玖磚5C棟3003

主營產(chǎn)品： 可控硅觸發(fā)板 變頻逆變igbt控制板 可控硅控制板 電磁吸盤控制板

成立時間：2013-04-17

所在地區(qū)：廣東 深圳

公司地址：深圳市龍華新區(qū)明治街道向南四區(qū)松花大廈216

主營產(chǎn)品： 集成電路 igbt 肖特基二極管 mos管

成立時間：2018-05-03

所在地區(qū)：陜西 西咸新區(qū)

公司地址：陜西省西咸新區(qū)上林路能源金融貿(mào)易區(qū)金灣大廈A座310

主營產(chǎn)品： 半導(dǎo)體分測試篩選系統(tǒng) igbt動態(tài)參數(shù)測試儀

成立時間：2024-01-23

所在地區(qū)：北京 海淀

公司地址：西苑一畝園21號309室

主營產(chǎn)品： IGBT模塊 整流橋 驅(qū)動 電解電容

成立時間：2018-11-20

所在地區(qū)：廣東 深圳

公司地址：新亞洲電子市場二期N1A073

主營產(chǎn)品： igbt模塊 ic芯片 電解電容 電源模塊

成立時間：2010-06-08

所在地區(qū)：湖北 武漢

公司地址：武漢東湖開發(fā)區(qū)武漢大學(xué)科技園3路武大航域

主營產(chǎn)品： igbt模塊 薄膜電容 驅(qū)動 傳感器

成立時間：2018-12-20

所在地區(qū)：江蘇 蘇州

公司地址：昆山開發(fā)區(qū)夏荷路99號港龍商務(wù)大廈2號樓720室

主營產(chǎn)品： igbt模塊 二極管可控硅 ipm模塊 整流橋

成立時間：2010-06-08

所在地區(qū)：湖北 武漢

公司地址：武漢東湖開發(fā)區(qū)武漢大學(xué)科技園3S地球空間信息產(chǎn)業(yè)基地三區(qū)D8座1－3層D8號

主營產(chǎn)品： igbt模塊 電容

成立時間：2018-10-23

所在地區(qū)：上海 奉賢

公司地址：上海市奉賢區(qū)奉浦工業(yè)區(qū)奉浦大道111號

主營產(chǎn)品： 可控硅晶閘管模塊 igbt 二極管 整流橋模塊

成立時間：1996-03-27

所在地區(qū)：北京 豐臺

公司地址：北京市豐臺區(qū)南三環(huán)東路23號1號樓6層

主營產(chǎn)品： 英飛凌代理商 英飛凌igbt模塊 igbt驅(qū)動 igbt芯片

成立時間：2025-05-09

所在地區(qū)：廣東 深圳

公司地址：深圳市福田區(qū)振中路中航苑鼎誠大夏606

主營產(chǎn)品： 索尼圖像傳感芯片 kec代理三端穩(wěn)壓igbt 凌陽解碼芯片 st功放ic芯片